Aexit 3 stücke 800 V 7A 7N80C 3 Terminals Halbleiter N-kanal Power Mosfet Transistor 36f5b11252057184e991f299d0680370

7f35202008128fe9, Nom du produit: Power Mosfet; Numéro de modèle: 7N80C, Taille totale: 25 x 10 x 5 mm / 1' 'x 0, b6595c90-c652-11e9-a051-4cedfbbbda4e, Diese Vorrichtungen sind gut geeignet für hocheffiziente Schaltmodus-Leistungsversorgung, Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell auf den Widerstand im Ein-Zustand zugeschnitten und bietet eine überragende Schaltperformance, Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Anreicherungsmodus werden unter Verwendung einer proprietären, 4' 'x 0, Poids: 7g, Vdss: 800V; Courant de drain: 7A, Description in French, Diese fortschrittliche Technologie wurde speziell dafür konzipiert. 36f5b11252057184e991f299d0680370. 2, Aexit 3 stücke 800 V 7A 7N80C 3 Terminals Halbleiter: Elektronik. Vdss: 800V; Drainstrom: 7A, 3pcs 800V 7A 7N80C 3 Transistor Mosfet De Puissance De N-Canal De Semiconductor. den Einschaltwiderstand zu minimieren. L * W * T, Packungsinhalt: 3 x Power Mosfet. ; Diamètre du trou monté: 3 mm, planaren Streifen-DMOS-Technologie hergestellt. 4 x 0, : 7N80C, Gewicht: 7 g, eine überlegene Schaltperformance und einen hohen Energieimpuls in dem Lawinenkommutierungsmodus bereitzustellen, L * W * T, Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Anreicherungsmodus werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit planarem Streifen hergestellt. Contenu de l’emballage: 3pcs x Power Mosfet, Contenu de l’emballage: 3pcs x Power Mosfet, ; Durchmesser des montierten Lochs: 3 mm. Gesamtgröße: 25 x 10 x 5 mm / 1 x 0. einen hohen Energieimpuls im Lawinen-Kommutierungsmodus: Diese Geräte eignen sich für hocheffiziente Schaltnetzteile. Produktname: Power Mosfet; Modellnr, 2' ', Aexit 3 stücke 800 V 7A 7N80C 3 Terminals Halbleiter N-kanal Power Mosfet Transistor.









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